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▲图源：英诺赛科亚汇网在起诉书中看到，EPC将矛头对准了两名曾在该公司任职的高管。EPC认为，其首席技术官和销售总监加入英诺赛科后不久，英诺赛科便推出了与EPC关键性能指标几乎相同的产品。此外，英诺赛科还展开了进攻性的营销活动，积极向EPC公司的客户推销其产品。EPC要求获得侵权赔偿，并希望能够禁止英诺赛科公司在美国销售涉及侵权的氮化镓产品。业内人士指出，若EPC最终胜诉，英诺赛科等GaN企业进军国际市场的策略将不得不做出改变。英诺赛科成立于2015年12月，是一家总部位于珠海的GaN类器件制造商，产品包括高低压GaN电源IC、功率半导体等，其拥有全球最大的8英寸硅基GaN晶圆的生产基地。

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